E-mail: service@1001718.com
![]()
2026-08-24
從被測器件的擊穿電壓出發,按VDS偏置範圍、通道數和LCR功能三個條件判斷TH511E是否適配你的來料質檢或產線分選需求,附選型決策表與不適用邊界。
買C-V免费看片成人,最怕的是“參數表看著夠,實際測試要換線”。用普通LCR電橋加外接偏置源的老方案,測Ciss接一組線,測Coss換另一組,測Crss再換一次,中間還要重新校準。一次完整的四參數測試,換線和校準的時間比測量本身長得多。TH511E要解決的就是這個環節。

TH511E的VDS漏極偏置範圍為0~±200V,VGS柵極偏置為0~±40V。這個範圍對應的是低壓功率器件——消費電子電源裏的MOSFET、低壓工業控製用的IGBT、快恢複二極管。如果你的被測器件擊穿電壓在200V以內,TH511E的偏置能力是完整的。
如果被測器件包含600V或1200V的IGBT,TH511E不夠用,需要TH511(±1500V)或TH513(±3000V)。選型時先把來料清單裏器件的最高擊穿電壓列出來,卡在200V這個門檻上。
TH511E采用一體化設計,內置LCR電橋、VGS低壓源、VDS高壓源、高低壓切換矩陣。一次接好器件後,儀器自動完成Ciss、Coss、Crss和Rg四項參數的切換與采集。對比普通LCR電橋外接偏置源的方案,後者每測一個參數都要手動換線、重新校準,四項參數至少換三次線、校三次。
如果你的測試工位每天測幾百隻器件,換線時間的累積非常可觀。TH511E的一鍵四參數測量節省的是操作時間和接線錯誤風險。
TH511E標配1個通道,TH511標配2個通道並可擴展至6通道。通道數的差異對應的是並行測試需求——TH511可以在多工位或模組器件上同時測量多路信號,TH511E適合單管器件的點測場景。
TH511E是全係列中唯一帶LCR功能的型號。這意味著除了C-V特性分析,它還可以當一台LCR數字電橋使用,測量電容、電感、電阻等常規參數。如果產線上既有C-V測試需求又有常規LCR抽檢需求,TH511E一台覆蓋。
測試需求特征 | 建議型號 | 理由 |
低壓MOSFET/IGBT,VDS≤200V | TH511E | 偏置範圍覆蓋,帶LCR功能 |
需要同時測2路以上器件 | TH511 | 標配2通道,可擴展至6通道 |
被測器件擊穿電壓600V~1200V | TH512 | VDS±1500V |
高壓IGBT/碳化矽器件 | TH513 | VDS±3000V |
需要C-V曲線掃描分析 | TH511E+曲線掃描選件 | 對數/線性曲線掃描 |
隻需點測四參數,預算有限 | TH511E | 經濟型入門配置 |
TH511E不適用於測試擊穿電壓超過200V的功率器件(選TH512/TH513)。不支持連續C-V曲線掃描(需選配曲線掃描軟件)。不適用於需要多通道並行測量的產線分選場景(選TH511)。測量對象為高壓SiC或GaN器件時,偏置範圍不夠。
選型拿不準?如您有任何疑問,請聯係深圳免费看片网址電子的工作人員吧,幫您確認量程、精度等關鍵指標。
|
||||