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JOFRA RTC 157C 幹體爐
在溫度量值傳遞與傳感器校準領域,JOFRA RTC157C幹體爐作為美國阿美特克(AMETEK)旗下旗艦產品,憑借-45至155℃的寬溫域覆蓋、0.04℃的係統
JOFRA RTC 157C 幹體爐的詳細資料
在溫度量值傳遞與傳感器校準領域,JOFRA RTC157C幹體爐作為美國阿美特克(AMETEK)旗下旗艦產品,憑借-45至155℃的寬溫域覆蓋、±0.04℃的係統準確度(配外置參考探頭)及±0.005℃的穩定度,成為計量檢測機構與高端製造企業的核心設備。該儀器通過雙區加熱技術、DLC動態負載補償係統及智能參考探頭適配能力,突破傳統幹體爐溫場不均的技術瓶頸,符合歐盟EURAMET/cg-13/v.01幹體爐校準規範,其性能經權威測試驗證為同類設備中的佼佼者,為熱電阻、熱電偶、溫度變送器等全類型傳感器提供可靠校準基準。
(一)關鍵性能指標
RTC157C的核心參數彰顯參考級定位:溫度範圍覆蓋-45~155℃極端溫區,滿足低溫冷鏈、工業製程等多場景需求;顯示分辨率達0.001℃,支持精細化溫度設定;幹井規格為φ30×160mm,配備Ф3.1mmDLC專用孔徑與Ф4.2mm參考探頭孔徑,適配多數工業傳感器尺寸。其徑向溫場一致性達±0.01℃,全溫域穩定性控製在±0.005℃,這一指標已接近實驗室液體槽水平,遠超傳統幹體爐性能。
| 型號 | RTC157C |
| 生產廠商 | AMETEK(阿美特克)JOFRA |
| 溫度範圍 | -45℃~155℃ |
| 係統準確度 | ±0.04℃(外接標準鉑電阻時) |
| 溫度穩定性 | ±0.005℃ |
| 徑向一致性 | ±0.01℃ |
| 顯示分辨率 | 0.001℃(最高) |
| 幹井規格 | φ30mm×160mm |
| 設備尺寸 | 362mm×171mm×363mm |
| 設備重量 | 10.5kg |
| 核心控溫技術 | 雙區加熱控製+DLC動態負載補償係統 |
| 溫場監測 | 5個垂直監測點+3個周向監測點,支持熱力圖/曲線可視化 |
| 穩定時間 | 10分鍾 |
| 升降溫效率 | 23℃→155℃:8分鍾;155℃→100℃:5分鍾;23℃→-30℃:17分鍾;-30℃→-45℃:25分鍾 |
| 抗幹擾能力 | 雙層電磁屏蔽、EMC電源濾波、減震支架,支持MVI電網擾動免疫 |
| 適配配置 | |
| 參考探頭 | 支持STS係列智能鉑電阻,4線Redel接口,即插即用自動讀取校準參數 |
| 套管套件 | 公製(3-13mm,4支)/英製(1/8"-1/2",3支)可選 |
| 數據接口 | USB接口,支持JOFRACAL校準軟件 |
| 顯示界麵 | 5.7英寸全彩VGA屏,多語言導航(含中文) |
| 合規與應用 | |
| 合規標準 | 符合EURAMET/cg-13/v.01規範,支持ISO17025、GMP數據追溯要求 |
| 數據管理 | AES-256加密存儲,支持PDF/TXT格式報告輸出 |
| 典型應用 | 計量檢測機構量值傳遞、半導體傳感器校準、醫藥冷鏈設備校驗、汽車電子測試 |
| 未公開參數 | 電源規格、校準通道數量(需聯係廠商獲取) |
(二)創新技術體係
雙區加熱技術
儀器采用上下獨立可控的雙區加熱模塊,底部區域保障加熱塊基礎熱容量,上部區域精準補償探頭插入導致的熱量流失。這種設計無需對被檢探頭額外隔熱,可直接校準充液式、機械式等熱敏元件,解決了傳統設備對探頭類型的限製問題。通過5個垂直監測點(頂、上、中、下、底)與3個周向監測點的實時監控,溫場分布可視化程度大幅提升。
DLC動態負載補償係統
作為專利技術(申請中),DLC係統通過專用差分熱電偶探頭捕捉最小0.001℃的溫場偏差,實時反饋至控製單元調整加熱功率。在批量校準場景中,如同時接入8支不同規格Pt100傳感器時,係統可在10秒內完成補償,確保加熱井內溫差≤±0.01℃。該功能使溫場均勻性不受傳感器數量、尺寸影響,是RTC157C核心競爭力所在。
智能參考探頭接口
配備4線Redel專用接口,支持STS係列標準鉑電阻熱插拔,內置芯片讀取單元可3秒內識別探頭校準數據(型號、修正參數等),實現即插即用。通過內置與外置探頭數據融合計算,係統準確度從±0.008℃(內置)提升至±0.04℃,滿足量值傳遞的溯源要求。
抗幹擾與穩定控製
采用雙層電磁屏蔽外殼、EMC電源濾波器及減震支架,可抵禦工業環境中的電磁輻射、電壓波動與機械振動,在焊接工位等複雜場景仍保持±0.005℃穩定度。MVI電壓監控電路實時調節加熱元件能量,避免供電不穩導致的溫場波動。
RTC157C的校準測試基於“標準溫場建立-量值傳遞-誤差修正”三維原理,核心通過以下機製實現:
(一)溫場控製原理:雙區協同與動態補償
儀器以鉑電阻傳感器為核心測溫元件,通過PID算法調控雙區加熱模塊:底部加熱區采用高功率陶瓷加熱器建立基礎溫場,上部區采用低功率薄膜加熱器進行微調整。當被檢探頭插入加熱井時,其熱容量差異會引發局部溫度下降,DLC差分探頭立即捕捉這一變化並傳輸至MCU控製單元。控製單元根據偏差量按比例提升上部加熱區功率,同時微調底部區輸出,形成“監測-計算-補償”閉環,確保套管內溫場均勻性。例如在-45℃低溫校準場景中,接入大尺寸熱電偶後,DLC係統可將溫場恢複時間縮短至傳統設備的1/3。
(二)量值傳遞原理:參考探頭與數據融合
校準過程以外部標準鉑電阻(如STS200A係列)為量值基準,其校準數據(經國家計量院溯源)存儲於探頭內置EEPROM芯片。RTC157C讀取數據後,將內置傳感器測量值與外置探頭值進行比對修正,生成“標準溫度-被檢信號”對應關係。以Pt100熱電阻校準為例,儀器先通過外置探頭確立25℃標準溫點(實際值25.003℃),再測量被檢探頭的電阻輸出(理論值109.734Ω),計算偏差後生成校準報告,整個過程符合ISO17025實驗室認可要求。
(三)動態負載適應原理:多參數協同調控
當同時校準多支傳感器時,儀器通過三重機製維持精度:1)DLC探頭監測每支傳感器周邊溫度,實現單點補償;2)雙區加熱模塊根據負載總量調整功率分配,避免整體溫場漂移;3)智能算法預判不同材質(銅、不鏽鋼)探頭的熱響應特性,提前預置補償參數。該原理使儀器在串聯3台ASM掃描開關時,可同時校準24支探頭且保持±0.02℃以內的係統誤差。
(一)典型應用場景
醫藥冷鏈校準:在疫苗冷藏箱傳感器檢測中,RTC157C可模擬-20℃~8℃溫區,通過自動步進功能(20步可編程)記錄傳感器在不同溫度點的響應延遲,數據采集頻率達10次/秒,滿足GMP對冷鏈監控的要求。
半導體製造:針對晶圓蝕刻設備的熱電偶校準,儀器通過DLC補償實現8支傳感器同時校準,溫場一致性±0.01℃,確保蝕刻溫度控製在±0.1℃精度範圍內,提升芯片良率。
計量機構溯源:作為次級標準設備,其與國家基準溫度計的比對誤差≤0.03℃,可開展對企業級校準設備的量值傳遞,覆蓋長三角地區300餘家製造企業。
(二)數據合規與追溯體係
儀器內置8GBAES-256加密存儲芯片,自動記錄設備序列號、校準參數、溫場數據等信息,附帶毫秒級時間戳與操作人員標識。支持USB、以太網導出標準化報告,格式兼容LIMS係統,滿足FDA21CFRPart11電子記錄要求。通過定期校準(推薦周期12個月),可維持EURAMET規範下的性能指標,校準證書由阿美特克原廠或CNAS認可實驗室出具。
RTC157C通過軟硬件協同提升操作效率:JOFRACAL軟件支持Windows係統遠程控製,可預設校準流程模板(如熱電偶K型、熱電阻Pt100),無需專業編程能力;SYNC同步信號接口在溫場穩定時觸發數據記錄儀,實現校準過程自動化;10組儀器設置存儲功能,可快速切換不同行業的校準方案。其快速升降溫能力(-45℃至25℃耗時≤15分鍾)較傳統設備提升40%,大幅縮短檢測周期。
JOFRA RTC157C幹體爐以雙區加熱與DLC補償技術為核心,構建了“高精度、抗幹擾、可追溯”的溫度校準體係,其±0.04℃準確度與±0.005℃穩定度確立了中低溫區幹體爐的性能標杆。通過智能探頭適配、動態負載補償及合規化數據管理,該儀器不僅解決了多傳感器批量校準的溫場不均難題,更滿足了計量檢測、高端製造等領域對量值溯源的嚴苛需求。在工業4.0背景下,RTC157C正成為實現溫度參數精準控製的關鍵基礎設施,為質量管控與產業升級提供核心技術支撐。
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